硅电容器
硅电容器和薄膜电容器属于特种器件,其制造工艺、技术手段及材料均沿用了半导体器件生产的通用方法与材料。由此实现的极高精度与严格控制,使得这类电容器能够达到近乎理想的性能,并具备优异的参数稳定性;尽管其容值范围相对有限,且相较于与其直接竞争的陶瓷基电容器而言成本较高。
CAP SILICON 10000PF 15% 50V 0303
CAP SILICON 0.022UF 15% 50V 0504
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0201
CAP SILICON 1000PF 15% 50V SMD
CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201
CAP SILICON 0.9PF 50V 0402
CAP SILICON 8.2PF 25V 0402
CAP SILICON 0.8PF 50V 0402
CAP SILICON 6.8PF 25V 0402
CAP SILICON 0.6PF 50V 0402
CAP SILICON 0.7PF 50V 0402
CAP SILICON 5.6PF 25V 0402