硅电容器

硅电容器和薄膜电容器属于特种器件,其制造工艺、技术手段及材料均沿用了半导体器件生产的通用方法与材料。由此实现的极高精度与严格控制,使得这类电容器能够达到近乎理想的性能,并具备优异的参数稳定性;尽管其容值范围相对有限,且相较于与其直接竞争的陶瓷基电容器而言成本较高。
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935153630510-T3T
包装:Tape & Reel (TR)
CAP SILICON 10000PF 15% 50V 0303
1000+:$8.03
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935154634522-T3T
包装:Tape & Reel (TR)
CAP SILICON 0.022UF 15% 50V 0504
 
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939114733510-T3N
包装:Tape & Reel (TR)
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0201
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1000+:$3
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935154632410-W0T
包装:Tray
CAP SILICON 1000PF 15% 50V SMD
400+:$5
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935156492510-T3S
包装:Tape & Reel (TR)
CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201
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1000+:$4.02
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RFCS04029000DBTWS
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CAP SILICON 0.9PF 50V 0402
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RFCS04028200CJTWS
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CAP SILICON 8.2PF 25V 0402
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CAP SILICON 0.8PF 50V 0402
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RFCS04026800CJTWS
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CAP SILICON 6.8PF 25V 0402
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RFCS04026000DBTWS
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CAP SILICON 0.6PF 50V 0402
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RFCS04027000DBTWS
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CAP SILICON 0.7PF 50V 0402
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RFCS04025600CJTWS
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CAP SILICON 5.6PF 25V 0402
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