硅电容器

硅电容器和薄膜电容器属于特种器件,其制造工艺、技术手段及材料均沿用了半导体器件生产的通用方法与材料。由此实现的极高精度与严格控制,使得这类电容器能够达到近乎理想的性能,并具备优异的参数稳定性;尽管其容值范围相对有限,且相较于与其直接竞争的陶瓷基电容器而言成本较高。
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935142831510-T3T
包装:Cut Tape (CT)
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0202
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939114492510-T3S
包装:Cut Tape (CT)
CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201
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包装:Cut Tape (CT)
CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402
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包装:Cut Tape (CT)
CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402
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CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0402
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包装:Tray
CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201
400+:$5.89
库存1600
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包装:Tape & Reel (TR)
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0201
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包装:Cut Tape (CT)
CAP SILICON 100PF 15% 150V 0202
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CAP SILICON 5600PF 15% 30V 0201
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CAP SILICON 5600PF 15% 30V 0201
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包装:Tape & Reel (TR)
CAP SILICON 1000PF 15% 150V 0202
 
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935146528247-W0T
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CAP SILICON 47PF 15% 150V 0201
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