硅电容器
硅电容器和薄膜电容器属于特种器件,其制造工艺、技术手段及材料均沿用了半导体器件生产的通用方法与材料。由此实现的极高精度与严格控制,使得这类电容器能够达到近乎理想的性能,并具备优异的参数稳定性;尽管其容值范围相对有限,且相较于与其直接竞争的陶瓷基电容器而言成本较高。
DIE, CAPACITOR, 22PF +/-5%
DIE, CAPACITOR, 29PF +/-10%
DIE, MOUNTING CAPACITOR, 460PF +
CAPACITOR,48 PF +/-5%,DIE
CAP SILICON 25PF 20% 50V DIE
CAP SILICN 0.022UF 15% 30V 0201
CAP SILICON 0.047UF 30V 0402
1+:$4.61
10+:$3.29
50+:$2.77
100+:$2.6
500+:$2.37
CAP SILICON 1000PF 150V 0202
1+:$7.48
10+:$5.53
50+:$4.75
100+:$4.51
500+:$4.36
CAP SILICON 150PF 10% SMD